وضاحتیں

• سیریز
  eGaN®
• پیکج
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• حصہ کی حیثیت
  Active
• fet کی قسم
  3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
• fet کی خصوصیت
  GaNFET (Gallium Nitride)
• ڈرین ٹو سورس وولٹیج (vdss)
  100V
• کرنٹ - مسلسل ڈرین (id) @ 25°c
  1.7A, 500mA
• rds پر (زیادہ سے زیادہ) @ id، vgs
  320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
• vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ id
  2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
• گیٹ چارج (کیو جی) (زیادہ سے زیادہ) @ وی جی ایس
  0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
• ان پٹ کیپیسیٹینس (ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ vds
  16pF @ 50V, 7pF @ 50V
• طاقت - زیادہ سے زیادہ
  -
• آپریٹنگ درجہ حرارت
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• بڑھتے ہوئے قسم
  Surface Mount
• پیکیج / کیس
  9-VFBGA
• سپلائر ڈیوائس پیکج
  9-BGA (1.35x1.35)