وضاحتیں

• سیریز
  HEXFET®, StrongIRFET™
• پیکج
  Tube
• حصہ کی حیثیت
  Active
• fet کی قسم
  N-Channel
• ٹیکنالوجی
  MOSFET (Metal Oxide)
• ڈرین ٹو سورس وولٹیج (vdss)
  40 V
• کرنٹ - مسلسل ڈرین (id) @ 25°c
  195A (Tc)
• ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ آر ڈی ایس آن، کم سے کم آر ڈی ایس آن)
  6V, 10V
• rds پر (زیادہ سے زیادہ) @ id، vgs
  1.3mOhm @ 100A, 10V
• vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ id
  3.9V @ 250µA
• گیٹ چارج (کیو جی) (زیادہ سے زیادہ) @ وی جی ایس
  460 nC @ 10 V
• وی جی ایس (زیادہ سے زیادہ)
  ±20V
• ان پٹ کیپیسیٹینس (ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ vds
  14240 pF @ 25 V
• fet کی خصوصیت
  -
• بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
  375W (Tc)
• آپریٹنگ درجہ حرارت
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• بڑھتے ہوئے قسم
  Through Hole
• سپلائر ڈیوائس پیکج
  TO-220AB
• پیکیج / کیس
  TO-220-3