وضاحتیں

• سیریز
  HEXFET®
• پیکج
  Bulk
• حصہ کی حیثیت
  Active
• fet کی قسم
  2 N-Channel (Dual)
• fet کی خصوصیت
  Logic Level Gate
• ڈرین ٹو سورس وولٹیج (vdss)
  30V
• کرنٹ - مسلسل ڈرین (id) @ 25°c
  5.3A
• rds پر (زیادہ سے زیادہ) @ id، vgs
  50mOhm @ 2.7A, 10V
• vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ id
  3V @ 100µA
• گیٹ چارج (کیو جی) (زیادہ سے زیادہ) @ وی جی ایس
  21nC @ 10V
• ان پٹ کیپیسیٹینس (ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ vds
  515pF @ 25V
• طاقت - زیادہ سے زیادہ
  2.4W
• آپریٹنگ درجہ حرارت
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• بڑھتے ہوئے قسم
  Surface Mount
• پیکیج / کیس
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• سپلائر ڈیوائس پیکج
  8-SO