وضاحتیں

• سیریز
  HEXFET®
• پیکج
  Bulk
• حصہ کی حیثیت
  Active
• fet کی قسم
  N-Channel
• ٹیکنالوجی
  MOSFET (Metal Oxide)
• ڈرین ٹو سورس وولٹیج (vdss)
  60 V
• کرنٹ - مسلسل ڈرین (id) @ 25°c
  240A (Tc)
• ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ آر ڈی ایس آن، کم سے کم آر ڈی ایس آن)
  -
• rds پر (زیادہ سے زیادہ) @ id، vgs
  2.1mOhm @ 168A, 10V
• vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ id
  4V @ 250µA
• گیٹ چارج (کیو جی) (زیادہ سے زیادہ) @ وی جی ایس
  300 nC @ 10 V
• وی جی ایس (زیادہ سے زیادہ)
  -
• ان پٹ کیپیسیٹینس (ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ vds
  8850 pF @ 50 V
• fet کی خصوصیت
  -
• بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
  375W (Tc)
• آپریٹنگ درجہ حرارت
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• بڑھتے ہوئے قسم
  Surface Mount
• سپلائر ڈیوائس پیکج
  D2PAK
• پیکیج / کیس
  TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)