وضاحتیں

• سیریز
  -
• پیکج
  Tube
• حصہ کی حیثیت
  Active
• fet کی قسم
  N-Channel
• ٹیکنالوجی
  SiCFET (Silicon Carbide)
• ڈرین ٹو سورس وولٹیج (vdss)
  1200 V
• کرنٹ - مسلسل ڈرین (id) @ 25°c
  10A (Tc)
• ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ آر ڈی ایس آن، کم سے کم آر ڈی ایس آن)
  18V
• rds پر (زیادہ سے زیادہ) @ id، vgs
  585mOhm @ 3A, 18V
• vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ id
  4V @ 900µA
• گیٹ چارج (کیو جی) (زیادہ سے زیادہ) @ وی جی ایس
  27 nC @ 18 V
• وی جی ایس (زیادہ سے زیادہ)
  +22V, -6V
• ان پٹ کیپیسیٹینس (ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ vds
  463 pF @ 800 V
• fet کی خصوصیت
  -
• بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
  85W (Tc)
• آپریٹنگ درجہ حرارت
  175°C (TJ)
• بڑھتے ہوئے قسم
  Through Hole
• سپلائر ڈیوائس پیکج
  TO-247
• پیکیج / کیس
  TO-247-3