وضاحتیں

• سیریز
  C2M™
• پیکج
  Tube
• حصہ کی حیثیت
  Not For New Designs
• fet کی قسم
  N-Channel
• ٹیکنالوجی
  SiCFET (Silicon Carbide)
• ڈرین ٹو سورس وولٹیج (vdss)
  1700 V
• کرنٹ - مسلسل ڈرین (id) @ 25°c
  72A (Tc)
• ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ آر ڈی ایس آن، کم سے کم آر ڈی ایس آن)
  20V
• rds پر (زیادہ سے زیادہ) @ id، vgs
  59mOhm @ 50A, 20V
• vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ id
  4V @ 18mA
• گیٹ چارج (کیو جی) (زیادہ سے زیادہ) @ وی جی ایس
  188 nC @ 20 V
• وی جی ایس (زیادہ سے زیادہ)
  +25V, -10V
• ان پٹ کیپیسیٹینس (ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ vds
  3672 pF @ 1000 V
• fet کی خصوصیت
  -
• بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
  520W (Tc)
• آپریٹنگ درجہ حرارت
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• بڑھتے ہوئے قسم
  Through Hole
• سپلائر ڈیوائس پیکج
  TO-247-4
• پیکیج / کیس
  TO-247-4