وضاحتیں

• سیریز
  C3M™
• پیکج
  Tube
• حصہ کی حیثیت
  Active
• fet کی قسم
  N-Channel
• ٹیکنالوجی
  SiCFET (Silicon Carbide)
• ڈرین ٹو سورس وولٹیج (vdss)
  650 V
• کرنٹ - مسلسل ڈرین (id) @ 25°c
  97A (Tc)
• ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ آر ڈی ایس آن، کم سے کم آر ڈی ایس آن)
  15V
• rds پر (زیادہ سے زیادہ) @ id، vgs
  34mOhm @ 33.5A, 15V
• vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ id
  3.6V @ 9.22mA
• گیٹ چارج (کیو جی) (زیادہ سے زیادہ) @ وی جی ایس
  108 nC @ 15 V
• وی جی ایس (زیادہ سے زیادہ)
  +19V, -8V
• ان پٹ کیپیسیٹینس (ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ vds
  2980 pF @ 600 V
• fet کی خصوصیت
  -
• بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
  326W (Tc)
• آپریٹنگ درجہ حرارت
  -40°C ~ 175°C (TJ)
• بڑھتے ہوئے قسم
  Through Hole
• سپلائر ڈیوائس پیکج
  TO-247-3
• پیکیج / کیس
  TO-247-3