وضاحتیں

• سیریز
  HEXFET®
• پیکج
  Tape & Reel (TR)
• حصہ کی حیثیت
  Obsolete
• fet کی قسم
  N-Channel
• ٹیکنالوجی
  MOSFET (Metal Oxide)
• ڈرین ٹو سورس وولٹیج (vdss)
  40 V
• کرنٹ - مسلسل ڈرین (id) @ 25°c
  46A (Ta), 270A (Tc)
• ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ آر ڈی ایس آن، کم سے کم آر ڈی ایس آن)
  10V
• rds پر (زیادہ سے زیادہ) @ id، vgs
  1mOhm @ 160A, 10V
• vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ id
  4V @ 250µA
• گیٹ چارج (کیو جی) (زیادہ سے زیادہ) @ وی جی ایس
  330 nC @ 10 V
• وی جی ایس (زیادہ سے زیادہ)
  ±20V
• ان پٹ کیپیسیٹینس (ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ vds
  11880 pF @ 25 V
• fet کی خصوصیت
  -
• بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
  3.8W (Ta), 125W (Tc)
• آپریٹنگ درجہ حرارت
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• بڑھتے ہوئے قسم
  Surface Mount
• سپلائر ڈیوائس پیکج
  DIRECTFET L8
• پیکیج / کیس
  DirectFET™ Isometric L8