وضاحتیں

• سیریز
  POWER MOS 8™
• پیکج
  Tube
• حصہ کی حیثیت
  Active
• fet کی قسم
  N-Channel
• ٹیکنالوجی
  MOSFET (Metal Oxide)
• ڈرین ٹو سورس وولٹیج (vdss)
  1000 V
• کرنٹ - مسلسل ڈرین (id) @ 25°c
  30A (Tc)
• ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ آر ڈی ایس آن، کم سے کم آر ڈی ایس آن)
  10V
• rds پر (زیادہ سے زیادہ) @ id، vgs
  440mOhm @ 16A, 10V
• vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ id
  5V @ 2.5mA
• گیٹ چارج (کیو جی) (زیادہ سے زیادہ) @ وی جی ایس
  260 nC @ 10 V
• وی جی ایس (زیادہ سے زیادہ)
  ±30V
• ان پٹ کیپیسیٹینس (ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ vds
  8500 pF @ 25 V
• fet کی خصوصیت
  -
• بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
  1040W (Tc)
• آپریٹنگ درجہ حرارت
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• بڑھتے ہوئے قسم
  Through Hole
• سپلائر ڈیوائس پیکج
  T-MAX™ [B2]
• پیکیج / کیس
  TO-247-3 Variant