وضاحتیں

• سیریز
  -
• پیکج
  Tube
• حصہ کی حیثیت
  Active
• fet کی قسم
  6 N-Channel (3-Phase Bridge)
• fet کی خصوصیت
  Silicon Carbide (SiC)
• ڈرین ٹو سورس وولٹیج (vdss)
  1200V (1.2kV)
• کرنٹ - مسلسل ڈرین (id) @ 25°c
  171A (Tc)
• rds پر (زیادہ سے زیادہ) @ id، vgs
  16mOhm @ 80A, 20V
• vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ id
  2.8V @ 2mA
• گیٹ چارج (کیو جی) (زیادہ سے زیادہ) @ وی جی ایس
  464nC @ 20V
• ان پٹ کیپیسیٹینس (ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ vds
  6040pF @ 1000V
• طاقت - زیادہ سے زیادہ
  728W (Tc)
• آپریٹنگ درجہ حرارت
  -40°C ~ 175°C (TJ)
• بڑھتے ہوئے قسم
  Chassis Mount
• پیکیج / کیس
  Module
• سپلائر ڈیوائس پیکج
  SP6-P