RM2N650IP

RM2N650IP

کارخانہ دار

Rectron USA

مصنوعات کی قسم

ٹرانجسٹر - fets، mosfets - سنگل

تفصیل

MOSFET N-CHANNEL 650V 2A TO251

وضاحتیں

  • سیریز
    -
  • پیکج
    Tube
  • حصہ کی حیثیت
    Active
  • fet کی قسم
    N-Channel
  • ٹیکنالوجی
    MOSFET (Metal Oxide)
  • ڈرین ٹو سورس وولٹیج (vdss)
    650 V
  • کرنٹ - مسلسل ڈرین (id) @ 25°c
    2A (Tc)
  • ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ آر ڈی ایس آن، کم سے کم آر ڈی ایس آن)
    10V
  • rds پر (زیادہ سے زیادہ) @ id، vgs
    2.5Ohm @ 1A, 10V
  • vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ id
    3.5V @ 250µA
  • گیٹ چارج (کیو جی) (زیادہ سے زیادہ) @ وی جی ایس
    -
  • وی جی ایس (زیادہ سے زیادہ)
    ±30V
  • ان پٹ کیپیسیٹینس (ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ vds
    190 pF @ 50 V
  • fet کی خصوصیت
    -
  • بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
    23W (Tc)
  • آپریٹنگ درجہ حرارت
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • بڑھتے ہوئے قسم
    Through Hole
  • سپلائر ڈیوائس پیکج
    TO-251
  • پیکیج / کیس
    TO-251-3 Stub Leads, IPak

RM2N650IP اقتباس کی درخواست کریں۔

اسٹاک میں 34307
مقدار:
یونٹ کی قیمت (حوالہ قیمت):
0.30000
ہدفی قیمت:
کل:0.30000