وضاحتیں

• سیریز
  HEXFET®
• پیکج
  Bulk
• حصہ کی حیثیت
  Active
• fet کی قسم
  N-Channel
• ٹیکنالوجی
  MOSFET (Metal Oxide)
• ڈرین ٹو سورس وولٹیج (vdss)
  55 V
• کرنٹ - مسلسل ڈرین (id) @ 25°c
  42A (Tc)
• ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ آر ڈی ایس آن، کم سے کم آر ڈی ایس آن)
  4.5V, 10V
• rds پر (زیادہ سے زیادہ) @ id، vgs
  8mOhm @ 42A, 10V
• vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ id
  3V @ 250µA
• گیٹ چارج (کیو جی) (زیادہ سے زیادہ) @ وی جی ایس
  66 nC @ 5 V
• وی جی ایس (زیادہ سے زیادہ)
  ±16V
• ان پٹ کیپیسیٹینس (ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ vds
  2.9 pF @ 25 V
• fet کی خصوصیت
  -
• بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
  130W (Tc)
• آپریٹنگ درجہ حرارت
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• بڑھتے ہوئے قسم
  Surface Mount
• سپلائر ڈیوائس پیکج
  D-Pak
• پیکیج / کیس
  TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63