وضاحتیں

• سیریز
  NexFET™
• پیکج
  Bulk
• حصہ کی حیثیت
  Active
• fet کی قسم
  N-Channel
• ٹیکنالوجی
  MOSFET (Metal Oxide)
• ڈرین ٹو سورس وولٹیج (vdss)
  25 V
• کرنٹ - مسلسل ڈرین (id) @ 25°c
  22A (Ta), 113A (Tc)
• ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ آر ڈی ایس آن، کم سے کم آر ڈی ایس آن)
  -
• rds پر (زیادہ سے زیادہ) @ id، vgs
  4.5mOhm @ 25A, 10V
• vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ id
  2.1V @ 250µA
• گیٹ چارج (کیو جی) (زیادہ سے زیادہ) @ وی جی ایس
  8.9 nC @ 4.5 V
• وی جی ایس (زیادہ سے زیادہ)
  +16V, -12V
• ان پٹ کیپیسیٹینس (ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ vds
  1300 pF @ 12.5 V
• fet کی خصوصیت
  -
• بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
  3.1W (Ta)
• آپریٹنگ درجہ حرارت
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• بڑھتے ہوئے قسم
  Surface Mount
• سپلائر ڈیوائس پیکج
  8-VSON-CLIP (5x6)
• پیکیج / کیس
  8-PowerTDFN