وضاحتیں

• سیریز
  HEXFET®
• پیکج
  Bulk
• حصہ کی حیثیت
  Active
• fet کی قسم
  N and P-Channel
• fet کی خصوصیت
  Logic Level Gate
• ڈرین ٹو سورس وولٹیج (vdss)
  20V
• کرنٹ - مسلسل ڈرین (id) @ 25°c
  5.2A, 4.3A
• rds پر (زیادہ سے زیادہ) @ id، vgs
  50mOhm @ 2.6A, 4.5V
• vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ id
  700mV @ 250µA
• گیٹ چارج (کیو جی) (زیادہ سے زیادہ) @ وی جی ایس
  20nC @ 4.5V
• ان پٹ کیپیسیٹینس (ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ vds
  660pF @ 15V
• طاقت - زیادہ سے زیادہ
  2W
• آپریٹنگ درجہ حرارت
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• بڑھتے ہوئے قسم
  Surface Mount
• پیکیج / کیس
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• سپلائر ڈیوائس پیکج
  8-SO