وضاحتیں

• سیریز
  HEXFET®
• پیکج
  Bulk
• حصہ کی حیثیت
  Active
• fet کی قسم
  N-Channel
• ٹیکنالوجی
  MOSFET (Metal Oxide)
• ڈرین ٹو سورس وولٹیج (vdss)
  20 V
• کرنٹ - مسلسل ڈرین (id) @ 25°c
  6.8A (Ta)
• ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ آر ڈی ایس آن، کم سے کم آر ڈی ایس آن)
  2.7V, 4.5V
• rds پر (زیادہ سے زیادہ) @ id، vgs
  35mOhm @ 4.1A, 4.5V
• vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ id
  700mV @ 250µA
• گیٹ چارج (کیو جی) (زیادہ سے زیادہ) @ وی جی ایس
  22 nC @ 4.5 V
• وی جی ایس (زیادہ سے زیادہ)
  ±12V
• ان پٹ کیپیسیٹینس (ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ vds
  650 pF @ 15 V
• fet کی خصوصیت
  -
• بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
  2.5W (Ta)
• آپریٹنگ درجہ حرارت
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• بڑھتے ہوئے قسم
  Surface Mount
• سپلائر ڈیوائس پیکج
  8-SO
• پیکیج / کیس
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)