وضاحتیں

• سیریز
  -
• پیکج
  Tray
• حصہ کی حیثیت
  Active
• fet کی قسم
  N-Channel
• ٹیکنالوجی
  SiCFET (Silicon Carbide)
• ڈرین ٹو سورس وولٹیج (vdss)
  1200 V
• کرنٹ - مسلسل ڈرین (id) @ 25°c
  400A (Tc)
• ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ آر ڈی ایس آن، کم سے کم آر ڈی ایس آن)
  -
• rds پر (زیادہ سے زیادہ) @ id، vgs
  -
• vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ id
  5.6V @ 106.8mA
• گیٹ چارج (کیو جی) (زیادہ سے زیادہ) @ وی جی ایس
  -
• وی جی ایس (زیادہ سے زیادہ)
  +22V, -4V
• ان پٹ کیپیسیٹینس (ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ vds
  17000 pF @ 10 V
• fet کی خصوصیت
  -
• بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
  1570W (Tc)
• آپریٹنگ درجہ حرارت
  175°C (TJ)
• بڑھتے ہوئے قسم
  Chassis Mount
• سپلائر ڈیوائس پیکج
  Module
• پیکیج / کیس
  Module