وضاحتیں

• سیریز
  Z-FET™
• پیکج
  Bulk
• حصہ کی حیثیت
  Active
• fet کی قسم
  2 N-Channel (Half Bridge)
• fet کی خصوصیت
  Silicon Carbide (SiC)
• ڈرین ٹو سورس وولٹیج (vdss)
  1200V (1.2kV)
• کرنٹ - مسلسل ڈرین (id) @ 25°c
  423A (Tc)
• rds پر (زیادہ سے زیادہ) @ id، vgs
  5.7mOhm @ 300A, 20V
• vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ id
  2.3V @ 15mA (Typ)
• گیٹ چارج (کیو جی) (زیادہ سے زیادہ) @ وی جی ایس
  1025nC @ 20V
• ان پٹ کیپیسیٹینس (ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ vds
  11700pF @ 600V
• طاقت - زیادہ سے زیادہ
  1660W
• آپریٹنگ درجہ حرارت
  150°C (TJ)
• بڑھتے ہوئے قسم
  Chassis Mount
• پیکیج / کیس
  Module, Screw Terminals
• سپلائر ڈیوائس پیکج
  Module